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Trabajos:
(PFC, Tesinas y Tesis)
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Grupo Nuevos Materiales

Instalaciones y Equipamiento

 

Producción de semiconductores (SiGeC) y dieléctricos (SiON, alto-k) en capa delgada y el tratamiento de sus superficies a escala micro- y nanométrica

Los procesos que se desarrollan en esta línea de investigación tienen como objetivo producir y modificar recubrimientos para aplicaciones en fotovoltaica, nanoelectrónica y fotónica. Para garantizar la compatibilidad de los materiales con la tecnología actual de circuitos integrados, se estudian principalmente aleaciones o compuestos del silicio. Como técnicas de procesamiento se emplean técnicas asistidas por láseres de excimero que proporcionan pulsos cortos (15 - 30 ns) de radiación ultravioleta (193 nm).

En concreto, se estudia el “depósito químico en fase vapor” (LCVD) que permite formar, a bajas temperaturas de substrato, tanto en grandes áreas como en regiones nano-métricas, recubrimientos en capa delgada sobre diferentes materiales, como vidrios, silicio, láminas de plásticos y estructuras multicapa. Por otra parte, también se trata la posterior modificación de estos recubrimientos mediante la “cristalización por láser de excímero” (ELC) o la “epitaxía inducida por láser pulsado” (PLIE). La enorme ventaja de estas técnicas es que permiten utilizar el mismo láser de excímero, cuya radiación ultravioleta concentrada en pulsos ultra-cortos actua en zonas muy determinadas sin un calentamiento excesivo de las muestras. Todas las técnicas pueden ser fácilmente combinadas con técnicas convencionales de líneas de producción.

 
 
 
última actualización: 26-04-2006 (schiussi@uvigo.es)