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                        Grupo de Nuevos Materiales                                                                             

Presentación LANAKSIG

Proyectos de Investigación Línea SiGe

Publicaciones Línea SiGe

Trabajos:
(PFC, Tesinas y Tesis)
Línea SiGe

Grupo Nuevos Materiales

Instalaciones y Equipamiento

Proyecto de Investigación financiado por el
Ministerio de Educación y Ciencia (MAT2003-04908)
Programa Nacional de Materiales

Procesamiento láser para nanotecnología: Capas delgadas de
silicio-germanio-carbono sobre dieléctricos de alto-k (LANAKSIG)

Duración: 01/12/2003 - 31/11/2006; Cuantía de la subvención: 57.500 €

I.P.: Stefano Chiussi (schiussi@uvigo.es)

Equipo

Investigadores (todos en dedicación compartida):

Dr. Stefano Chiussi ( Prof. Tit. Univ. )
Drª Betty León Fong ( Prof. Cat. Univ. )
Drª Julia Serra Rodríguez ( Prof. Tit. Univ. )
Drª Carmen Serra Rodríguez ( Técnico esp. Análisis de Superficies C.A.C.T.I. )
Dr. Jörg Schulze (Baja en 2004 por ser contratado por la Siemens AG München )
Dr. Torsten Sulima (Alta en 2004, Universität der Bundeswehr München)

Dr. Jorge Carlos Conde Saá ( Doctor desde 2004 )
Estefanía López Silva ( Estud. 3ºciclo, Lcda. en CC.Químicas, Técnico esp. C.A.C.T.I. )
Francisco Gontad Fariña
( Alta en 2005, Estud. 3ºciclo, Lcdo. en CC.Físicas )

Empresa EPO : Applied Materials

 
 
 

Objetivos y motivación

Objetivos generales   
  Estudiar procesos que permitan obtener capas finas de aleaciones de SiGeC a baja temperatura en un amplio rango de

 
  • Composición ( Si, Ge, SiGe, SiC, SiGeC )
  • Estructura cristalina ( amorfos, nano- y policristalinos )
y que contengan hidrógeno para saturar enlaces libres ( dangling bonds, grain boundaries )
 


Motivación
Obtener aleaciones de SiGeC para dispositivos en micro- y nano- electrónica sin calentar en exceso los substratos
( especialmente aleaciones sobre dieléctricos de alto-k, evitando la formación de una capa de SiO2 entre el dieléctrico y la oblea de silicio, o la capa crecida )
 
 

Tareas

*

Diseño y producción de láminas delgadas de a-SiGeC

*

Estudio sobre los umbrales de cristalización y de segregación en nuevos materiales aislantes

*
Cristalización de los recubrimientos semiconductores con el fin de obtener capas nanocristalinas y policristalinas
*

Estudio de la segregación de los elementos pertenecientes al substrato aislante y al recubrimiento semiconductor y simulación del proceso de cristalización

*
Realización de un dispositivo MOSFET
*
Presentación de resultados
 
 
  Solicitud e informes
         
 
*

Resumen breve de la solicitud


(42kB)
 
 
          
 
*

Informes parciales

Informe 2º año

(41kB)
Presentación
Jornada de Seguimiento 22/02/2006 ICMB Barcelona

(1851kB)
*
Informe final    

 

 

   

Divulgación de los resultados parciales 
   
  Publicación en revistas científicas
 

Mediante el enlace Abstract puede conectar a la página web (si existe) de la revista y, si está suscrito, descargar el artículo. Si no está suscrito puede solicitar una copia del artículo a la persona de contacto indicada (Autor cuyo nombre está subrayado)
 
 

*

S.Chiussi, E.López, J.Serra, P.González, B.León
UV Laser Assisted Processing of Thin Silicon-Germanium-Carbon Films
Thin Solid Films 508 (2006) 48-52

 
  * E.López, S.Chiussi, U.Kosch, P.González, J.Serra, C.Serra, B.León
Compositional, Structural and Optical Properties of Si-Rich a-SiC:H Films Deposited by ArF-LCVD
Applied Surface Science 248 (2005) 113-117

  Abstract
 

*

J.C.Conde, P.González, F.Lusquiños, S.Chiussi, J.Serra, B.León
Finite elements analysis of heteroepitaxial SiGe layers grown by excimer laser
Applied Surface Science 248 (2005) 461-465

 
 

*

J.C.Conde, P.González, F.Lusquiños, S.Chiussi, J.Serra, B.León
Analytical and numerical calculations of the temperature distribution on Si and Ge induced by excimer lasers
Applied Surface Science 248 (2005) 455-460

 
 

*

E.López, S.Chiussi, P.González, J.Serra, C.Serra, B.León
Influence of the Substrate Temperature on the ArF Laser induced Chemical Vapour Deposition of Ge Containing Thin Films
Applied Surface Science 248 (2005) 108-112

 
 

*

E.López, S.Chiussi, J.Serra, P.González, C.Serra, B.León, F.Fabbri, L.Fornarini, S.Martelli
Laser assisted integrated processing of SiGeC films on silicon
Thin Solid Films 453-454 (2004) 46-51

 

*

E.López, S.Chiussi, J.Serra, P.González, C.Serra, U.Kosch, B.León, F.Fabbri, L.Fornarini, S.Martelli
Growth and modification of thin SiGeC films at low substrate temperature through UV laser assisted processing
Applied Surface Science 234 (2004) 422-428

 
       
 
Presentaciones en congresos
   
Algunas contribuciones "orales", tipo "poster" ó "extended abstract" están disponibles en formato pdf para Acrobat Reader 5 ó superior
 
 

*

S.Chiussi, E.López, F.Gontad, J.Serra, P.González, B.León
Excimer Laser Assisted Processing of Silicon-Germanium-Carbon Films
1st Int'l WorkShop on  New Group IV Semiconductor Nanoelectronics, Sendai (2005) Japón

 

(761kB)
Ext.Abstract

 

*

ICSI-4
S.Chiussi, E.López, J.Serra, P.González, B.León
UV Laser Assisted Processing of Thin Silicon-Germanium-Carbon Films
4th Int'l Conf. on Silicon Epitaxy and Heterostructures (ICSI-4) Awaji, Hyogo (2005) Japón

 
(879kB)
 

*

EMRS-05
Ch.B.Lioutas, N.Frangis, S.Soumelidis, S.Chiussi, E.López, B.León
High resolution electron microscopy study of SiGeC thin films grown on Si(100) by laser assisted techniques
European Materials Research Society Conference (EMRS), Strasbourg (2005) Francia


 
(1543kB)
 

*

RIVA-5
E.López, U.Kosch, S.Chiussi, F.Gontad, P.González, J.Serra, C.Serra, B.León
Tailored film properties and surface morphology of Si1-x-yGexCy films through ArF-Excimer Laser assisted growth
5th Iberian Vacuum Meeting and Applications, XI Spanish Vacuum Meeting, V Portuguese Vacuum Meeting, Guimarães, (2005) Portugal

 
(426kB)
 

*

NanoSpain 1 st Workshop
S.Chiussi , E.López, J.Serra, P.González, B.León, M.Pérez-Amor
Growth and Modification of Thin Films at Low Substrate Temperatures through UV Laser Assisted Processing
1 st NanoSpain Workshop, Phantoms Foundation, San Sebastian (2004) España

 
(1905kB)
 

*

ICPEPA-4
J.C.Conde, P.González, F.Lusquiños, S.Chiussi, J.Serra, B.León
Finite Elements Analysis of Heteroepitaxial SiGe Layers grown by Excimer Laser
4 th Int'l Conference on Photo-Excited Processes and Applications (ICPEPA-4), Lecce (2004) Italia

 
(148kB)
 

*

ICPEPA-4
J.C.Conde, P.González, F.Lusquiños, S.Chiussi, J.Serra, B.León
Analytical and Numerical Calculations on the Temperature Distribution on Si and Ge induced by Excimer Lasers
4 th Int'l Conference on Photo-Excited Processes and Applications (ICPEPA-4), Lecce (2004) Italia

 
(463kB)
 

*

ICPEPA-4
S.Chiussi, E.López, J.Serra, P.González, B.León
UV Laser Assisted Processing of Thin Silicon-Germanium-Carbon alloys
4 th Int'l Conference on Photo-Excited Processes and Applications (ICPEPA-4), Lecce (2004) Italia

 
(1929kB)
 

*

ICPEPA-4
E.López, S.Chiussi, P.González, J.Serra, C.Serra, B.León
Influence of the Substrate Temperature on the ArF Laser induced Chemical Vapour Deposition of Ge Containing Thin Films
4 th Int'l Conference on Photo-Excited Processes and Applications (ICPEPA-4), Lecce (2004) Italia

 
(436kB)
 

*

ICPEPA-4
E.López, S.Chiussi, U.Kosch, P.González, J.Serra, C.Serra, B.León
Compositional, Structural and Optical Properties of Si-Rich a-SiC:H Films Deposited by ArF-LCVD
4 th Int'l Conference on Photo-Excited Processes and Applications (ICPEPA-4), Lecce (2004) Italia
 
(336kB)
       
       
   

Conferencias

 
 
*
El laser en la producción de aleaciones de SiGeC para nanoelectrónica
En “La nanotecnología:un gran reto para este siglo”
Universidad Internacional Menéndez Pelayo (Pontevedra), España, 30/9/2004


 
*
Excimer laser assisted processing of SiGeC coatings
En “Interdisciplinary Workshop on Electronic Materials and Interaction of Plasmas with Matter “
University of Minho, Guimarães, Portugal, 15/12/2005

 
   
Proyectos Fin de Carrera, Tesinas de Licenciatura y Tesis doctorales relacionadas con el proyecto

 

Proyectos Fin de Carrera

  • Nuria Max
    "Optimización del sistema de inyección de precursores gaseosos en cámara de alto vacío para procesamiento con láser"
    E.U.Ingeniería Técnica Industrial Vigo,
    Especialidad Mecánica
    Cualificación: Sobresaliente

Bachelor

Master

Tesis doctorales

  • Estefanía López Silva
    Título preliminar:
    "Deposito y cristalización de aleaciones de SiGeC mediante técnicas láser"

    Universidad de Vigo
    En avanzada fase de realización


  • Fran Gontad Fariñas
    Título preliminar:
    "Procesamiento láser para la producción de aleaciones de SiGeC"

    Universidad de Vigo
    En fase de realización


 
Agradecimientos
 

Este proyecto, financiado por el Ministerio de Educacion y Ciencia, cuenta con la ayuda de la siguientes personas e instituciones a las cuales queremos agradecer sus diferentes aportaciones.

Financiación parcial de equipos y personal:
Xunta de Galicia
Universidad de Vigo

 

Producción y estudio de dieléctricos de alto-k:
Ignaz Eisele, Joerg Schulze y Torsten Sulima,
Nano & Micro Systems UniBWMünchen,
BW-Universität München (Alemania)

 

Producción de máscaras para LCVD:
Juergen Brugger y Lianne Doeswijk,
LMIS1-Microsystems and Nanoengineering,
Ecole Polytechnique Fédérale de Lausanne (Suisa)

 

Medidas TEM de alta resolución:
Nikos Frangis,
Electron Microscopy Laboratory,
Aristotle University (Grecia)

Medidas Raman:
Sergej Filonovich, Pedro Alpuim,
Universidad do Minho (Portugal)

 

Simulación numérica de procesos láser:
Lucilla Fornarini,
ENEA-Frascati (Italia)

 

 
última actualización: 26-04-2006 ( schiussi@uvigo.es )